二维材料展现出丰富的物性,例如半导体、磁性、超导、电荷密度波等,并对外场调控(光场、电场、磁场、界面、堆叠等)非常敏感。并且,单层二维材料也为研究二维极限下的量子态提供了新的平台。我们利用电化学插层技术将各种不同类型的有机阳离子插入二维材料范德瓦尔斯层间,制备出有机 - 无机超晶格结构。该超晶格结构中,二维材料层内结构保持完整,层间距离增大,从而层间耦合作用减弱,体材料也表现出类似单层的性质,例如插层的 nbse 2 体材料表现出单层 nbse 2 的 ising 超导特性。此外,有机阳离子插层能够有效调控材料的载流子浓度。在二维半导体 mos 2 中,电子掺杂可抑制声子散射,从而提升其载流子迁移率;对于二维面内反铁磁材料过渡金属磷硫化合物( mpx 3 ),插层调控可实现其基态由反铁磁向(亚)铁磁态的转变;进一步地,在 feps 3 /fe 3 gate 2 异质结中,还观察到由界面电荷转移诱导的界面层净磁矩产生的极性反转交换偏置效应。